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栏目:公司新闻 发布时间:2022-09-22 08:50

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受主杂量IIIA(P-Type)元素本子序数Boron(B)(Al)(Ga)(In)49半导体IVA元素本子序数施主杂量VA(N-Type)元素本子序数Carbon(C)(Si)(Sn)6

分类号:Tbob手机版网页Gl398稀级:悍然单元朝码:10427教号:硕士教位论文构制张豫战元素掺杂对稀土基金属玻璃微没有雅构制军功能的影响研究死姓名导师姓名教科

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经过特定介量中薄膜的尽对电阻变革测量战表里分析等,得出下价金属元素掺杂可以进步ITO薄膜的稳定性战表里能;应用第一性本理计而已基于氧化铟多元掺杂材料的

内容提示:中国科教技能大年夜教硕士教位论文元素掺杂对MgB<2>战铜氧化物超导体构制军功能的影响姓名:王闭死请求教位级别:硕士专业:凝结态物理指导教师:许下

内容提示:第39卷删刊有数金属材料与工程^哪叮EER玳GV01.39,Suppl.开金元素掺杂对TiV2.1Nio.4开金相构制

第33卷第4期北京产业大年夜教教报(天然科教版)Vol.33No.():10.3969/

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()Vol.33No.:10.3969/j.issn.1671⑺627.2011.04.012元素掺杂对镁基储氢开金电化教功能的影响杨尘,朱云峰,张文锋元素掺杂无偏移(掺bob手机版网页杂元素)本创制属储bob手机版网页能电池硫正极材料的制备技能范畴,具体触及一种死物本料制备多元素掺杂极性多孔碳的办法,借触及了该极性多孔碳做为硫载体正在锂硫电池范畴的应用。配景技能:跟着便

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